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STMicroelectronics Módulo De Potencia SiC SCTWA10N120, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 De 3 Pines

About The 200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,55 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.STMicroelectronics Módulo de potencia SiC SCTWA10N120, VDSS 1

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC SCTWA10N120, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,55 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

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STMicroelectronics Módulo De Potencia SiC SCTWA10N120, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 De 3 Pines

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Specifications of STMicroelectronics Módulo De Potencia SiC SCTWA10N120, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 De 3 Pines

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