ROHM MOSFET RQ7E100ATTCR, VDSS 30 V, ID 10 A, TSMT-8 de 8 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1.5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: 150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
ROHM MOSFET RQ7E100ATTCR, VDSS 30 V, ID 10 A, TSMT-8 De 8 Pines, Config. Simple
Specifications of ROHM MOSFET RQ7E100ATTCR, VDSS 30 V, ID 10 A, TSMT-8 De 8 Pines, Config. Simple | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |
Last Updated