reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
Semi-conducteurs
Composants discrets
Transistors MOSFET
Infineon

Infineon MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 Broches

About The 2V, MPN: IPD50P04P413ATMA2.Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12,6 mO, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2

Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12,6 mO, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, MPN: IPD50P04P413ATMA2

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Infineon MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 Broches

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Specifications of Infineon MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 Broches

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 Broches
More Varieties
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
Semi-conducteurs
Composants discrets

Rating :- 9.64 /10
Votes :- 7
Infineon MOSFET canal N, IPAK (TO-251) 5 A 600 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N, IPAK (TO-251) 5 A 600 V, 3 broches

5V, Série: CoolMOS™ CE, MPN: IPU60R1K5CEAKMA2.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors MOSFET
  • Infineon
    • Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 20 pôles, 5.08mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit
  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Connecteurs
  • Blocs de jonction
  • Borniers enfichables
  • Wurth Elektronik
    • Infineon MOSFET canal N, SOT-223 10 A 700 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal N, SOT-223 10 A 700 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal N, SOT-223 10 A 700 V, 3 broches, MPN: IPN70R450P7SATMA1.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors MOSFET
  • Infineon
    • Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 24 pôles, 5.08mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit

    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 24 pôles, 5.08mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit

    08mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit, Type de bornier enfichable: Embase de connecteur, Type de montage: Montage sur CI, Type de raccordement: A souder, Tension: 300,0 V, Matériau du contact: Laiton, Placage du contact: Etain, MPN: 691311500024.Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 24 pôles, 5.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Connecteurs
  • Blocs de jonction
  • Borniers enfichables
  • Wurth Elektronik
    • Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 23 pôles, 5.08mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit
  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Connecteurs
  • Blocs de jonction
  • Borniers enfichables
  • Wurth Elektronik
    • Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 18 pôles, 5.08mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit

    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 18 pôles, 5.08mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit

    0A, Angle droit, Orientation du corps: Verticale, Type de montage: Montage sur CI, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Laiton, Placage du contact: Etain, Courant: 20A, MPN: 691311500018.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Connecteurs
  • Blocs de jonction
  • Borniers enfichables
  • Wurth Elektronik
    • Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12,6 mO, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, MPN: IPD50P04P413ATMA2.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors MOSFET
  • Infineon
    • Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 13 pôles, 5.08mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit

    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 13 pôles, 5.08mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit

    08mm 1 rangée, 20.Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 13 pôles, 5.0A, Angle droit, Type de bornier enfichable: Embase de connecteur, Type de montage: Montage sur CI, Type de raccordement: A souder, Tension: 300,0 V, Matériau du contact: Laiton, Placage du contact: Etain, MPN: 691311500013.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Connecteurs
  • Blocs de jonction
  • Borniers enfichables
  • Wurth Elektronik
    • Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12,6 mO, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors MOSFET
  • Infineon
    • Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 13 pôles, 5.08mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit

    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 13 pôles, 5.08mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit

    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 13 pôles, 5.0A, Angle droit, Type de bornier enfichable: Embase de connecteur, Type de montage: Montage sur CI, Type de raccordement: A souder, Tension: 300,0 V, Matériau du contact: Laiton, Placage du contact: Etain, MPN: 691311500013.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Connecteurs
  • Blocs de jonction
  • Borniers enfichables
  • Wurth Elektronik