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Bourns Inductance Traversante, 330 μH, 600mA, 760mΩ, ±10%, Séries RLB

About The Bourns Inductance traversante, 330 μH, 600mA, 760mΩ, ±10%, Séries RLB, Type de montage: Radial, Diamètre: 8.65mm, Température d'utilisation maximum: +105°C, Température d'utilisation minimum: -40°C, MPN: RLB0914-331KL

Bourns Inductance traversante, 330 μH, 600mA, 760mΩ, ±10%, Séries RLB, Type de montage: Radial, Diamètre: 8.7mm, Hauteur: 12mm, Dimensions: 8.7 (Dia.) x 12mm, Matériau du corps: Ferrite, Fréquence d'auto-résonance maximale: 2MHz, Pas entre broches: 5mm, Diamètre de broche: 0.65mm, Température d'utilisation maximum: +105°C, Température d'utilisation minimum: -40°C, MPN: RLB0914-331KL

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Specifications of Bourns Inductance Traversante, 330 μH, 600mA, 760mΩ, ±10%, Séries RLB

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Rating :- 9.48 /10
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Yageo Résistance CMS 1.5kΩ, boitier 0603 (1608M) ±1% 0.1 W, 0.2 W

Yageo Résistance CMS 1.5kΩ, boitier 0603 (1608M) ±1% 0.1 W, 0.2 W

2 W, Technologie: Film couche épaisse, MPN: RC0603FR-071K5L.

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    • Microchip Microcontrôleur, 8bit, 64 B RAM, 8 ko, 20MHz, SOIJ 8, série ATtiny13A

    Microchip Microcontrôleur, 8bit, 64 B RAM, 8 ko, 20MHz, SOIJ 8, série ATtiny13A

    Microchip Microcontrôleur, 8bit, 64 B RAM, 8 ko, 20MHz, SOIJ 8, série ATtiny13A, Type de montage: CMS, Cœur du circuit: AVR, MPN: ATTINY13A-SUR.

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    Bourns Inductance traversante, 680 μH, 400mA, 1.6Ω, ±10%, Séries RLB

    7 (Dia.) x 12mm, Matériau du corps: Ferrite, Fréquence d'auto-résonance maximale: 1.7mm, Hauteur: 12mm, Dimensions: 8.

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    • Microchip Microcontrôleur, 8bit, 256 B RAM, 8 ko, 20MHz, SOIC 8, série PIC12F

    Microchip Microcontrôleur, 8bit, 256 B RAM, 8 ko, 20MHz, SOIC 8, série PIC12F

    Microchip Microcontrôleur, 8bit, 256 B RAM, 8 ko, 20MHz, SOIC 8, série PIC12F, MPN: PIC12F1572T-I/SN.

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    Bourns Inductance traversante, 330 μH, 600mA, 760mΩ, ±10%, Séries RLB

    7mm, Hauteur: 12mm, Dimensions: 8.) x 12mm, Matériau du corps: Ferrite, Fréquence d'auto-résonance maximale: 2MHz, Pas entre broches: 5mm, Diamètre de broche: 0.

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    65mm, Température d'utilisation maximum: +105°C, Température d'utilisation minimum: -40°C, MPN: RLB0914-331KL.7mm, Hauteur: 12mm, Dimensions: 8.

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    STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 18 A 200 V, 3 broches

    4mm, MPN: STD20NF20.STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 18 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 125 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.

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