Vishay MOSFET canal P, PowerPAK SO-8 50 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 7,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 39 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Hauteur: 1.12mm, Longueur: 6.25mm, MPN: SIR401DP-T1-GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8 50 A 20 V, 8 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8 50 A 20 V, 8 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |