Vishay MOSFET canal N, SOIC 20 A 100 V, 8 broches
Vishay MOSFET canal N, SOIC 20 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 7,8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.5mm, MPN: SI4090DY-T1-GE3.