Vishay MOSFET canal P, PowerPAK 1212-8 22 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 52 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 3.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIS415DNT-T1-GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal P, PowerPAK 1212-8 22 A 20 V, 8 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal P, PowerPAK 1212-8 22 A 20 V, 8 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |