Renesas Electronics Oscillateur à Quartz 30MHz Type XO

Name: Renesas Electronics Oscillateur à Quartz 30MHz Type XO! Renesas Electronics
Brand: Renesas Electronics
SKU: CAXB-129688
Price: 939.60 EUR
Availability: InStock

About The 000000I.Renesas Electronics Oscillateur à quartz 30MHz type XO, Stabilité en fréquence: 25ppm, Niveau de sortie: LVCMOS, MPN: XLH536030

Renesas Electronics Oscillateur à quartz 30MHz type XO, Stabilité en fréquence: 25ppm, Niveau de sortie: LVCMOS, MPN: XLH536030.000000I

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Passifs > Quartz & Oscillateurs et Résonateurs > Oscillateurs à quartz

Renesas Electronics Commutateur RF 1RT F2970NCGK, 20 broches LQFN

Schurter Fusible miniature, 10A, type TT, 125V c.a.

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Passifs > Quartz & Oscillateurs et Résonateurs > Oscillateurs à quartz

Specifications of Renesas Electronics Oscillateur à Quartz 30MHz Type XO
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Last Updated December 20th, 2023 04:47 pm

Renesas Electronics Oscillateur à Quartz 30MHz Type XO

More Varieties

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs

Passifs

Quartz & Oscillateurs et Résonateurs

Rating :- 9.37 /10

Votes :- 9

Texas Instruments Convertisseur abaisseur de tension CMS, 3A, 6 V, 17 V sortie Ajustable

95mm, MPN: TPS62130RGTT.

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs

Semi-conducteurs

Gestion de l'alimentation

Convertisseurs Buck

Texas Instruments

Schurter Cartouche fusible, 25A 10 x 38mm Type T 1000V c.c.

2056.

Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles

Fusibles et disjoncteurs

Fusibles

Fusibles cartouches

Schurter

DiodesZetex MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 43 A 30 V, 3 broches

5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMN3010LK3-13.DiodesZetex MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 43 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 11,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.

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