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Onsemi Low Side,, NCV8412ADDR2G, SOIC, 8 Broches Low Side

About The 9A, MPN: NCV8412ADDR2G.onsemi Low Side,, SOIC, 8 broches Low Side, Résistance RDS(on) de commutation: 145mΩ, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 42 V, Courant de fonctionnement maximum: 5

onsemi Low Side,, SOIC, 8 broches Low Side, Résistance RDS(on) de commutation: 145mΩ, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 42 V, Courant de fonctionnement maximum: 5.9A, MPN: NCV8412ADDR2G

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Onsemi Low Side,, NCV8412ADDR2G, SOIC, 8 Broches Low Side

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Specifications of Onsemi Low Side,, NCV8412ADDR2G, SOIC, 8 Broches Low Side

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onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 650 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 650 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,25 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: SUPERFET III, MPN: NTD250N65S3H.

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    onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 203 A 100 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0041 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: SiC, Série: SiC Power, MPN: NTBGS004N10G.

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    onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 62 A 650 V, 7 broches, MPN: NTBG045N065SC1.

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