Vishay MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 8,1 A 250 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 450 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 74 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIHF634S-GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 8,1 A 250 V, 3 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 8,1 A 250 V, 3 Broches | |
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