Vishay MOSFET Canal N, TO-220AB 40 A 600 V, 3 Broches

8mm, Homologué pour applications médicales: Oui, Profondeur: 19mm, Température maximale: +70°C, Température minimale: -25°C, Poids: 47g, MPN: TMF 10105 TRACOPOWER Alimentation à découpage, 10W, 1 sortie à 5V c.

EAO Bouton-poussoir, Momentané, SPDT, 3A, Montage panneau, Illuminé: Non, Type de bouton-poussoir: Rond, Couleur de bouton-poussoir: Argent, Diamètre de découpe panneau: 22.

3mm, Matériau du contact: Alliage d'argent, Série: 82, Indice de protection: IP65, IP67, Matériau du bouton poussoir: Acier inoxydable, Tension Nominale: 240V, MPN: 82-6151.1000.EAO Bouton-poussoir, Momentané, SPDT, 3A, Montage panneau, Illuminé: Non, Type de bouton-poussoir: Rond, Couleur de bouton-poussoir: Argent, Diamètre de découpe panneau: 22.

Montage sur CI 360mW, Courant de commutation: 10A, Accrochage: Non, Type de raccordement: Traversant, Tension de commutation maximale (c. Montage sur CI 360mW.5kVrms, MPN: PB134012 TE Connectivity Relais de puissance PB, 1 NO, bobine 12V c.

6mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: MTCH6102-I/SS.5mm, Largeur: 5.

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 100 mW, Gain en courant DC minimum: 200, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 25 V, Dimensions: 2 x 1.

1% 0.063W, Technologie: Film couche mince, Coefficient de température: ±25ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: CPF0603B130RE1.TE Connectivity Résistance CMS série CPF 130Ω, boitier 0603 (1608M) ±0.

Vishay MOSFET canal N, TO-220AB 40 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 65 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIHP065N60E-GE3.

063W, Technologie: Film couche mince, Coefficient de température: ±25ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: CPF0603B130RE1.1% 0.

Vishay MOSFET canal N, TO-220AB 40 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 65 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.51mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIHP065N60E-GE3.