Texas Instruments Driver De Périphérique, LM1949N/NOPB, MDIP, 8 Broches

7mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: DMTH6016LK3-13.

1.

STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 120 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 312 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP120NF10.

DiodesZetex Diode CMS, 2A, 30V, SMAF, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 500mV, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 50A, MPN: B230AF-13.

6mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: TPDV1240RG.5V, Dimensions: 15.

Texas Instruments Source de courant programmable, 10mA TO-92, 3 broches, 5.19 x 5.

08mm, Longueur: 10.35mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 8 V, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: LM1949N/NOPB.

DiodesZetex MOSFET canal N, X1-DFN1006 407 mA 60 V, 3 broches, Courant continu de Drain maximum: 325 mA (état), 407 mA (stable), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.3V, MPN: DMN62D1LFB-7B.

35 x 5.Texas Instruments Driver de périphérique, MDIP, 8 broches, Nombre de drivers: 1, Courant d'alimentation maximum: 54 mA, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 1,24 W, Tension d'entrée maximale: 5,5 V, Dimensions: 10.

3V, MPN: DMN62D1LFB-7B.DiodesZetex MOSFET canal N, X1-DFN1006 407 mA 60 V, 3 broches, Courant continu de Drain maximum: 325 mA (état), 407 mA (stable), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.