Vishay MOSFET canal P, SOT-23 530 mA 150 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 750 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI2325DS-T1-E3
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Vishay MOSFET Canal P, SOT-23 530 MA 150 V, 3 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal P, SOT-23 530 MA 150 V, 3 Broches | |
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