STMicroelectronics MOSFET canal P, SOIC 10 A 40 V, 8 broches
1V, Hauteur: 1.STMicroelectronics MOSFET canal P, SOIC 10 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.5mm, MPN: STS10P4LLF6.