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STMicroelectronics MOSFET Canal N, SO-8 7,5 A 60 V, 8 Broches

About The STMicroelectronics MOSFET canal N, SO-8 7,5 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 21 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±16 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STS7NF60L

STMicroelectronics MOSFET canal N, SO-8 7,5 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 21 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±16 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STS7NF60L

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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, SO-8 7,5 A 60 V, 8 Broches

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