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STMicroelectronics MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 200 V, 3 Broches

About The 4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB30NF20.STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 75 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10

STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 75 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB30NF20

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STMicroelectronics MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 200 V, 3 Broches

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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 30 A 200 V, 3 Broches

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