Infineon MOSFET canal N, TDSON 80 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5,9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.2V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.7V, Dissipation de puissance maximum: 2,8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 6.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC046N02KSGAUMA1
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon MOSFET Canal N, TDSON 80 A 20 V, 8 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TDSON 80 A 20 V, 8 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |