STMicroelectronics MOSFET canal P, SOT-223 3 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 2,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.7mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STN3P6F6
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STMicroelectronics MOSFET Canal P, SOT-223 3 A 60 V, 3 Broches
Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal P, SOT-223 3 A 60 V, 3 Broches | |
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