Onsemi Transistor, PNP Isolé, -100 MA, -45 V, SOT-363 (SC-88), 6 Broches Dual

RS PRO Contact pour connecteur Sub-D à souder, Femelle 22AWG, Contact Femelle 32AWG, 32 → 22 AWG, Matériau du contact: Alliage de cuivre, Type de raccordement: A souder, Résistance de contact maximale: 12mΩ, Courant: 5A.

87 x 4.82 x 20.82mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: AFGHL50T65SQDC.onsemi Transistor bipolaire, NPN Simple, 100 A, 650 V, A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 238 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.

RS PRO Contact pour connecteur Sub-D à sertir, Mâle, placage Or, Etain 24AWG, Contact Mâle 28AWG, 28 → 24 AWG, Matériau du contact: Alliage de cuivre, Type de raccordement: A sertir, Résistance de contact maximale: 12mΩ, Courant: 5A.

7A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 1.9V SOT-523 (SC-89), 3 broches, dissip.95 x 0.

2V, Dissipation de puissance maximum: 24 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NTMYS025N06CLTWG.onsemi MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 21 A 60 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 43 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.

onsemi MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 52 A 40 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12 mO, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.

5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 28 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NTMYS011N04CTWG.onsemi MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 35 A 40 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.

9 x 2 x 1.onsemi Transistor, PNP Isolé, -100 mA, -45 V, SOT-363 (SC-88), 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 380 mW, Gain en courant DC minimum: 220, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 0.

onsemi MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 35 A 40 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 28 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NTMYS011N04CTWG.

25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BC857BDW1T1G.9 x 2 x 1.