onsemi MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 35 A 40 V, 4 broches
onsemi MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 35 A 40 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 28 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NTMYS011N04CTWG.