reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
Semi-conducteurs
Mémoires
SDRAM
Alliance Memory

Alliance Memory SDRAM, AS4C4M16SA-7TCN, 64Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 Broches DDR

About The 35mm, MPN: AS4C4M16SA-7TCN.4ns, Type de montage: CMS, Dimensions: 22

Alliance Memory SDRAM, 64Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR, Configuration: 4M x 16, Largeur de bus de données: 16bit, Largeur de bus d'adresse: 12bit, Temps d'accès aléatoire maximum: 5.4ns, Type de montage: CMS, Dimensions: 22.35 x 10.29 x 1.2mm, Longueur: 22.35mm, MPN: AS4C4M16SA-7TCN

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Mémoires > SDRAM

Alliance Memory SDRAM, AS4C4M16SA-7TCN, 64Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 Broches DDR

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Mémoires > SDRAM

Specifications of Alliance Memory SDRAM, AS4C4M16SA-7TCN, 64Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 Broches DDR

Category
Instockinstock

Last Updated

Alliance Memory SDRAM, AS4C4M16SA-7TCN, 64Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 Broches DDR
More Varieties
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
Semi-conducteurs
Mémoires

Rating :- 9.36 /10
Votes :- 9
RS PRO Panneau en Acier, 469kg max, l.
  • Mécanique & Fluides et Outillage
  • Accès & Stockage et manutention
  • Stockage et rayonnage
  • Etagères de stockage
  • RS PRO
    • RS PRO Traverse en Acier, 469kg max, l.
  • Mécanique & Fluides et Outillage
  • Accès & Stockage et manutention
  • Stockage et rayonnage
  • Etagères de stockage
  • RS PRO
    • Littelfuse Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    Littelfuse Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    9V, 100V DO-214AB (SMC), 2 broches, dissip. 3000W 3000W, MPN: 3.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Diodes TVS
  • Littelfuse
    • Recom Convertisseur DC-DC, REM3, Montage traversant, 3W, 1 sortie, 12V c.c., 250mA

    Recom Convertisseur DC-DC, REM3, Montage traversant, 3W, 1 sortie, 12V c.c., 250mA

    c., Isolé: Oui, Plage de réglage de la tension de sortie: ±10%, Boîtier: DIP 24, Tension d'isolement: 5kV ac, Profondeur: 10.Recom Convertisseur DC-DC, REM3, Montage traversant, 3W, 1 sortie, 12V c.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Alimentations et transformateurs
  • Convertisseurs de tension
  • Convertisseurs DC-DC
  • Recom
    • Recom Convertisseur DC-DC, RP12-AW, Montage traversant, 12W, 2 sorties, ±12V c.c., ±500mA

    Recom Convertisseur DC-DC, RP12-AW, Montage traversant, 12W, 2 sorties, ±12V c.c., ±500mA

    , Isolé: Oui, Boîtier: DIP, Tension d'isolement: 1.Recom Convertisseur DC-DC, RP12-AW, Montage traversant, 12W, 2 sorties, ±12V c.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Alimentations et transformateurs
  • Convertisseurs de tension
  • Convertisseurs DC-DC
  • Recom
    • Alliance Memory SRAM 4Mbit 512 K x 8

    Alliance Memory SRAM 4Mbit 512 K x 8

    Alliance Memory SRAM 4Mbit 512 K x 8, Nombre de mots: 524288, Nombre de bits par mot: 8bit, Temps d'accès aléatoire maximum: 55ns, MPN: AS6C4008A-55STIN.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Mémoires
  • Mémoires SRAM
  • Alliance Memory
    • Alliance Memory SDRAM, AS4C8M16SA-6TIN, 128Mbit, 166MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR
  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Mémoires
  • SDRAM
  • Alliance Memory
    • Alliance Memory SDRAM, AS4C4M16SA-7TCN, 64Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR

    Alliance Memory SDRAM, AS4C4M16SA-7TCN, 64Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR

    35 x 10.Alliance Memory SDRAM, 64Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR, Configuration: 4M x 16, Largeur de bus de données: 16bit, Largeur de bus d'adresse: 12bit, Temps d'accès aléatoire maximum: 5.35mm, MPN: AS4C4M16SA-7TCN.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Mémoires
  • SDRAM
  • Alliance Memory
    • Alliance Memory SDRAM, AS4C8M16SA-6TIN, 128Mbit, 166MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR

    Alliance Memory SDRAM, AS4C8M16SA-6TIN, 128Mbit, 166MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR

    2mm, Longueur: 22.Alliance Memory SDRAM, 128Mbit, 166MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR, Configuration: 8 M x 16, Largeur de bus de données: 16bit, Largeur de bus d'adresse: 12bit, Temps d'accès aléatoire maximum: 5ns, Type de montage: CMS, Dimensions: 22.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Mémoires
  • SDRAM
  • Alliance Memory
    • Alliance Memory SDRAM, AS4C4M16SA-7TCN, 64Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR

    Alliance Memory SDRAM, AS4C4M16SA-7TCN, 64Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR

    29 x 1.2mm, Longueur: 22.35mm, MPN: AS4C4M16SA-7TCN.Alliance Memory SDRAM, 64Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR, Configuration: 4M x 16, Largeur de bus de données: 16bit, Largeur de bus d'adresse: 12bit, Temps d'accès aléatoire maximum: 5.

  • Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
  • Semi-conducteurs
  • Mémoires
  • SDRAM
  • Alliance Memory