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Taiwan Semiconductor Diode TVS Unidirectionnel, Claq. 15.6V, 23.2V DO-218AB, 2 Broches, Dissip. 6600W

About The Taiwan Semiconductor Diode TVS Unidirectionnel, claq.2V DO-218AB, 2 broches, dissip

15.6V, 23.2V DO-218AB, 2 broches, dissip. 6600W, Type de montage: CMS, MPN: TLD8S14AH Taiwan Semiconductor Diode TVS Unidirectionnel, claq.

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Specifications of Taiwan Semiconductor Diode TVS Unidirectionnel, Claq. 15.6V, 23.2V DO-218AB, 2 Broches, Dissip. 6600W

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Taiwan Semiconductor CI driver de LED, 4,5 - 42 V, 2mA

Taiwan Semiconductor CI driver de LED, 4,5 - 42 V, 2mA

Taiwan Semiconductor CI driver de LED, 4,5 - 42 V, 2mA, Puissance de sortie maximum: 600mW, Série: TS19, MPN: TS19820CS RLG.

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    Taiwan Semiconductor CI driver de LED, Contrôleur LED: Variateur LED, MPN: TS19501CB10H RBG.

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    Taiwan Semiconductor Diode TVS Unidirectionnel, claq. 6600W 6600W, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 3, MPN: TLD8S18AH.20V, 29.

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    2V, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Longueur: 2.9 x 1.

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    onsemi Diode traversante, 16A, 45V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 630mV, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 150A, MPN: MBR1645G.

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    onsemi Diode traversante, 16A, 45V, TO-220AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Redresseur Schottky, Chute minimale de tension directe: 630mV, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 150A, MPN: MBR1645G.

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