Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 75 A 40 V, 8 Broches

3V, MPN: IRFS4115TRLPBF.

a.

15V, Courant inverse crête: 10µA, Longueur: 8.6mm, MPN: DBLS205G RD.Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 2A, 600V, 4 broches, DBLS, Type de montage: CMS, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 50A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Tension directe de crête: 1.5 x 2.

, IP67.c.c.

Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 54 A 40 V, 8 broches, MPN: TSM110NB04CR.

c.

Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 75 A 40 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TSM025, MPN: TSM070NB04CR.

Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 80 A 30 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 8,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TSM025, MPN: TSM055N03EPQ56.

Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 75 A 40 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TSM025, MPN: TSM070NB04CR.

Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 80 A 30 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 8,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: TSM025, MPN: TSM055N03EPQ56.