Onsemi MOSFET Canal P, TO-220AB 27 A 60 V, 3 Broches

0 Standard B Type CUI, Traversant, Horizontal, MPN: UJ2-BV-1-TH.

5; 26 mm; 30 mm, MPN: 19000005090.

Bourns Résistance CMS série CR0805 100kΩ, boitier 0805 (2012M) ±5% 0.125W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±200ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: CR0805-JW-104ELF.

125W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±200ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: CR0805-JW-102ELF.Bourns Résistance CMS série CR0805 1kΩ, boitier 0805 (2012M) ±5% 0.

9mm, Longueur: 10.

Bourns Résistance CMS série CR0805 22kΩ, boitier 0805 (2012M) ±1% 0.125W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: CR0805-FX-2202ELF.

4mm, MPN: FQP27P06.onsemi MOSFET canal P, TO-220AB 27 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 70 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 120 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 9.

3V, 121V SMC, 2 broches, dissip.3V, 121V SMC, 2 broches, dissip.

onsemi MOSFET canal P, TO-220AB 27 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 70 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 120 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 9.4mm, MPN: FQP27P06.

Vishay Diode TVS Bidirectionnel, claq. 83.