onsemi MOSFET canal P, SOT-23 2,3 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 115 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDC6312P
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Onsemi MOSFET Canal P, SOT-23 2,3 A 20 V, 6 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal P, SOT-23 2,3 A 20 V, 6 Broches | |
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