onsemi MOSFET canal P, SOT-23 2,6 A 12 V, 3 broches
92mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDN306P.4V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 2.onsemi MOSFET canal P, SOT-23 2,6 A 12 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.