onsemi MOSFET canal P, SOT-23 3 A 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 105 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1mm, Longueur: 3mm, MPN: FDC5614P
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Onsemi MOSFET Canal P, SOT-23 3 A 60 V, 6 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal P, SOT-23 3 A 60 V, 6 Broches | |
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