Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 3 Broches
About The Vishay MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.41mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SUM40012EL-GE3
Vishay MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 10.41mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SUM40012EL-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 3 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 3 Broches | |
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