reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
Semi-conducteurs
Composants discrets
Transistors MOSFET
Vishay

Vishay MOSFET Canal N, SOT-363 850 MA 20 V, 6 Broches

About The Vishay MOSFET canal N, SOT-363 850 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 530 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1

Vishay MOSFET canal N, SOT-363 850 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 530 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Grille Source maximum: ±12 V, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQ1922AEEH-T1_GE3

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Vishay MOSFET Canal N, SOT-363 850 MA 20 V, 6 Broches

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SOT-363 850 MA 20 V, 6 Broches

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay MOSFET Canal N, SOT-363 850 MA 20 V, 6 Broches
More Varieties

Rating :- 9.91 /10
Votes :- 10