Vishay MOSFET canal N, SOT-363 850 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 530 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Tension Grille Source maximum: ±12 V, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQ1922AEEH-T1_GE3
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Vishay MOSFET Canal N, SOT-363 850 MA 20 V, 6 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SOT-363 850 MA 20 V, 6 Broches | |
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