Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 4A, 200V, DO-201AD
About The .Taiwan Semiconductor Diode traversante, 4A, 200V, DO-201AD, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 890mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 25ns, Diamètre: 5
Taiwan Semiconductor Diode traversante, 4A, 200V, DO-201AD, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 890mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 25ns, Diamètre: 5.6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 125A, MPN: MUR420
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes Schottky et de redressements
Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 4A, 200V, DO-201AD
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Specifications of Taiwan Semiconductor Diode Traversante, 4A, 200V, DO-201AD | |
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