OSI Optoelectronics Photo diode,, Si, Traversant, boîtier Bas profil, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 254nm, Fonction d'amplificateur: Non, Nombre de broches: 3, Longueur d'onde minimum détectée: UV-100L, Longueur: 24.76mm, Taille: 4.826mm, Diamètre: 25.4mm, Photosensibilité de pointe: 0.14A/W, Résistance du shunt: 10000KΩ, Temps de croissance: 5.9ns
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OSI Optoelectronics Photo Diode,, Si, Traversant, Boîtier Bas Profil
Specifications of OSI Optoelectronics Photo Diode,, Si, Traversant, Boîtier Bas Profil | |
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