Onsemi MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 14 A 650 V, 3 Broches
About The 2V, MPN: FCB199N65S3.5V, Dissipation de puissance maximum: 98 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Tension directe de la diode: 1
onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 14 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 2 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 199 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 98 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: FCB199N65S3
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Onsemi MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 14 A 650 V, 3 Broches
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Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 14 A 650 V, 3 Broches | |
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