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Onsemi Diode Zener, 9.1V,, Dissip. ≤ 300 MW SOT-23

About The 1V,, dissip.onsemi Diode Zener, 9

≤ 300 mW SOT-23, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 5%, Courant de test: 20mA, Impédance zener maximum: 10Ω, Courant de fuite inverse maximum: 3µA, Dimensions: 2.9 x 1.3 x 0.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, MPN: MMBZ5239BLT1G onsemi Diode Zener, 9.1V,, dissip.

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Specifications of Onsemi Diode Zener, 9.1V,, Dissip. ≤ 300 MW SOT-23

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Wago Bornier pour CI 4 contacts 1 rangée(s) pas de 5.08mm série 231

Wago Bornier pour CI 4 contacts 1 rangée(s) pas de 5.08mm série 231

08mm série 231, Type de montage: Traversant, Genre: Femelle, Type de raccordement: Cage à ressort, MPN: 231-634/023-000.

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    STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    95 x 2.28.6 x 3.5V DO-214AA (SMB), 2 broches, dissip.

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    • Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 broches

    Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 broches

    Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 42,5 mΩ, 62 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, 3,1 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.55mm, MPN: SI4599DY-T1-GE3.

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    Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 42,5 mΩ, 62 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.

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