STMicroelectronics Transistor MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 53 A, 3 Broches

, ±5%, diélectrique : C0G, Boîtier: 0805 (2012M), Type de montage: Montage en surface, Dimensions: 2 x 1.

Broadcom Kit pour fibre optique, Type de kit: Kit d'évaluation, MPN: HFBR-0541Z.

3 x 0.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Résistance d'entrée typique: 10 kΩ, MPN: PEMD3,115.7 x 1.

c.8mm, Largeur: 9.

43mm, Diamètre de découpe panneau: 12.45 (Dia.

Vishay MOSFET canal N, PowerPAK 10 x 12 21 A 650 V, 8 broches, Type de montage: CMS, MPN: SIHK125N60E-T1-GE3.

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 53 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB45N30M5.

00000T.Abracon Oscillateur à quartz 125MHz, CMS type XO, Niveau de sortie: LVDS, MPN: AK2DAF1-125.

STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 53 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STB45N30M5.

00000T.Abracon Oscillateur à quartz 125MHz, CMS type XO, Niveau de sortie: LVDS, MPN: AK2DAF1-125.