Taiwan Semiconductor Diode TVS Bidirectionnel, Claq. 33.3V, 48.4V DO-214AB (SMC), 2 Broches, Dissip. 1500W

Wago Marker Strip série 209, Type de montage: Enfichable, MPN: 209-307.

5mm 1 rangée, Coudée, Enveloppé/Non-Enveloppé: Enveloppé, Type de montage: Montage sur CI, MPN: 2092-3424/200-000.Wago Embase pour CI, 2092, 4 pôles, 7.

, Temps de croissance: 6µs, Courant d'entrée maximum: 60 mA, Tension d'isolement: 7,5 kVrms, Temps de chute: 24µs, MPN: CNY17F4M.c.

Vishay Diode CMS, 10A, 40V, TO-277A, Configuration de diode: Simple, Type diode: Schottky, Nombre de broche: 3, Chute minimale de tension directe: 560mV, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 280A, MPN: SS10P4-M3/86A.

75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 7.

Wago Embase pour CI, 2092, 8 pôles, 5mm 1 rangée, Coudée, Enveloppé/Non-Enveloppé: Enveloppé, Type de montage: Montage sur CI, MPN: 2092-1428/200-000.

Taiwan Semiconductor Diode TVS Bidirectionnel, claq.3V, 48.

Vishay MOSFET canal P, Micro FOOT 4,3 A 20 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 82 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI8489EDB-T2-E1.

4V DO-214AB (SMC), 2 broches, dissip.22 x 2. 1500W 1500W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 30V, Courant d'impulsion crête maximum: 31A, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Dimensions: 7.

5V, Dissipation de puissance maximum: 1,8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI8489EDB-T2-E1.Vishay MOSFET canal P, Micro FOOT 4,3 A 20 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 82 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.