Infineon MOSFET Canal N, A-247 54,9 A 850 V, 3 Broches
About The 13mm, MPN: SPW55N80C3.95V, Hauteur: 5
Infineon MOSFET canal N, A-247 54,9 A 850 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 85 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 0.95V, Hauteur: 5.21mm, Longueur: 16.13mm, MPN: SPW55N80C3
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Infineon MOSFET Canal N, A-247 54,9 A 850 V, 3 Broches
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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, A-247 54,9 A 850 V, 3 Broches | |
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