Infineon MOSFET canal N, A-247 54,9 A 850 V, 3 broches
95V, Hauteur: 5.Infineon MOSFET canal N, A-247 54,9 A 850 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 85 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 0.13mm, MPN: SPW55N80C3.