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Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor Pont Redresseur Monophasé, 25A, 600V, 4 Broches, GBPC-W

About The 1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 600V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 600V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC2506W T0

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Taiwan Semiconductor Pont Redresseur Monophasé, 25A, 600V, 4 Broches, GBPC-W

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Specifications of Taiwan Semiconductor Pont Redresseur Monophasé, 25A, 600V, 4 Broches, GBPC-W

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