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IXYS MOSFET Canal N, A-247 70 A 200 V, 3 Broches

About The .5V, Dissipation de puissance maximum: 690 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16

IXYS MOSFET canal N, A-247 70 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 690 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 16.26mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFH70N20Q3

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Specifications of IXYS MOSFET Canal N, A-247 70 A 200 V, 3 Broches

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TE Connectivity Cosses à œillet, Non-isolé, 240mm², 16mm, série XCT
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    IXYS MOSFET canal N, ISOPLUS247 45 A 500 V, 3 broches

    IXYS MOSFET canal N, ISOPLUS247 45 A 500 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 94 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFR64N50Q3.5V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.

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    5V, Dissipation de puissance maximum: 1 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 19.IXYS MOSFET canal N, TO-264 48 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 140 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.

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    5V, Dissipation de puissance maximum: 1 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 19.96mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFK48N60Q3.IXYS MOSFET canal N, TO-264 48 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 140 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.

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