STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 7,5 A 650 V, 3 broches
STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 7,5 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 600 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 85 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 15.75mm, MPN: STP10N60M2.