onsemi MOSFET canal P, SOT-23 800 mA 150 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 1,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 2.92mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDN86265P
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Onsemi MOSFET Canal P, SOT-23 800 MA 150 V, 3 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal P, SOT-23 800 MA 150 V, 3 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |