Onsemi Diode Traversante, 11A, 650V, A-220

6mm, Tension maximale d'alimentation: 5.

6mm, Tension maximale d'alimentation: 5.

0/NOPB.Texas Instruments Convertisseur abaisseur de tension Traversant, 500mA, 40 V sortie Fixe, Fonction régulateur: Contrôleur de boost, inverseur, Tension d'entrée minimale: 4 V, Nombre de sorties: 1, Fréquence de découpage maximum: 58 kHz, Type de boîtier: MDIP, Régulateur à découpage: Oui, Dimensions: 9.35 x 3.

5mm, Profondeur: 136mm, Température d'utilisation maximum: +70°C, Température minimum de fonctionnement: -50°C, Montage: Montage rail DIN, MPN: BF6500A230., Gamme: Orange, Type de terminaison: Borne à cage, Longueur: 55mm, Largeur: 114.a.

c.Phoenix Contact Module à relais statique PLC-OPT, Rail DIN, Tension de charge minimale: 100 V c.

4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF11NM60ND.STMicroelectronics MOSFET canal N, TO-220FP 10 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 450 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.

onsemi Diode traversante, 11A, 650V, A-220, Type de boîtier: TO-220, Configuration de diode: Simple, Type diode: Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 650A, MPN: FFSP1065B.

STMicroelectronics MOSFET canal N, TO-220FP 10 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 550 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF10NM60N.

onsemi Diode traversante, 11A, 650V, A-220, Type de boîtier: TO-220, Configuration de diode: Simple, Type diode: Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 650A, MPN: FFSP1065B.

STMicroelectronics MOSFET canal N, TO-220FP 10 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 550 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF10NM60N.