Vishay MOSFET canal N, SO-8 19,8 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,006 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.4V, Série: TrenchFET, MPN: SI4204DY-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, SO-8 19,8 A 20 V, 8 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SO-8 19,8 A 20 V, 8 Broches | |
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