STMicroelectronics IGBT, STGWT80H65DFB,, 120 A, 650 V, TO-3P, 3 Broches, Simple
About The STMicroelectronics IGBT,, 120 A, 650 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 469 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Longueur: 15.8mm, Largeur: 5mm, Hauteur: 20
STMicroelectronics IGBT,, 120 A, 650 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 469 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Longueur: 15.8mm, Largeur: 5mm, Hauteur: 20.1mm, Dimensions: 15.8 x 5 x 20.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STGWT80H65DFB
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > IGBT
STMicroelectronics IGBT, STGWT80H65DFB,, 120 A, 650 V, TO-3P, 3 Broches, Simple
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Specifications of STMicroelectronics IGBT, STGWT80H65DFB,, 120 A, 650 V, TO-3P, 3 Broches, Simple | |
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