STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 2 A 950 V, 3 broches
STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 2.