Toshiba MOSFET canal N, SOT-23 6 A 30 V, 3 broches, Type de boîtier: SOT-23F, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 42 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Hauteur: 0.8mm, MPN: SSM3K333R
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Toshiba MOSFET Canal N, SOT-23 6 A 30 V, 3 Broches
Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, SOT-23 6 A 30 V, 3 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |