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IXYS MOSFET Canal N, A-220 36 A 300 V, 3 Broches

About The IXYS MOSFET canal N, A-220 36 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10

IXYS MOSFET canal N, A-220 36 A 300 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.66mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXTP36N30P

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Specifications of IXYS MOSFET Canal N, A-220 36 A 300 V, 3 Broches

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