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Onsemi MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 16 A 60 V, 3 Broches

About The 73mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: RFD16N06LESM9A.onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 16 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 47 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +10 V, Longueur: 6

onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 16 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 47 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 90 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +10 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: RFD16N06LESM9A

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