Vishay MOSFET canal P, SOT-23 (TO-236) 6 A 8 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 120 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.35V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -5 V, +5 V, Hauteur: 1.02mm, Longueur: 3.04mm, MPN: SI2329DS-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal P, SOT-23 (TO-236) 6 A 8 V, 3 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal P, SOT-23 (TO-236) 6 A 8 V, 3 Broches | |
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