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Infineon MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 40 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0033 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: OptiMOS, MPN: IPB100N04S204ATMA4

Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0033 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: OptiMOS, MPN: IPB100N04S204ATMA4

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 40 V, 3 Broches

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